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Package Marking and Ordering Information
Part Number
FDA59N30
Top Mark
FDA59N30
Package
TO-3PN
Packing Method
Tube
Reel Size
N/A
Tape Width
N/A
Quantity
30 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted.
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DSS
/ Δ T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
V DS = 300 V, V GS = 0 V
V DS = 240 V, T C = 125 ° C
V GS = 30 V, V DS = 0 V
V GS = -30 V, V DS = 0 V
300
--
--
--
--
--
--
0.3
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/ ° C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
R DS(on)
g FS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source
On-Resistance
Forward Transconductance
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10 V, I D = 29.5 A
V DS = 40 V, I D = 29.5 A
3.0
--
--
--
0.047
52
5.0
0.056
--
V
Ω
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1 MHz
--
--
--
3590
710
80
4670
920
120
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = 150 V, I D = 59 A,
V GS = 10 V, R G = 25 Ω
V DS = 240 V, I D = 59 A,
V GS = 10 V
(Note 4)
(Note 4)
--
--
--
--
--
--
--
140
575
120
200
77
22
40
290
1160
250
410
100
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
I SM
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
--
--
59
236
A
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 59 A
V GS = 0 V, I S = 59 A,
dI F /dt =100 A/ μ s
--
--
--
--
246
6.9
1.4
--
--
V
ns
μ C
Notes:
1. Repetitive rating: pulse-width limited by maximum junction temperature.
2. L = 0.83 mH, I AS = 59 A, V DD = 50 V, R G = 25 Ω , starting T J = 25 ° C.
3. I SD ≤ 59 A, di/dt ≤ 200 A/ μ s, V DD ≤ BV DSS , starting T J = 25 ° C.
4. Essentially independent of operating temperature typical characteristics.
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA59N30 Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
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